联发科3nm芯片估量明年量产 高通你要加把劲了
【安定洋科技资讯】9月7日新闻,联发量明今日 ,片估联发科以及台积电散漫宣告 ,年量联发科首延接管台积电 3nm 制程破费的产高天玑旗舰芯片的开拓进度正在顺遂妨碍。据悉,通加这款芯片已经乐成流片,把劲并估量将在明年开始大规模破费,联发量明将成为联发科最强5G Soc。片估
据清晰,年量台积电公司的产高 3nm 制程技术被普遍表彰,其不光为高功能合计以及挪移运用提供了周全的通加平台反对于 ,而且在功能 、把劲功耗以及良率方面都有清晰提升。联发量明比照于 5nm 制程,片估台积电 3nm 制程技术的年量逻辑密度削减了约 60% ,在相同功耗下速率提升了 18% ,概况在相同速率下功耗飞腾了 32%。这些清晰的改善无疑将为芯片的功能以及功能带来清晰提升。
联发科也对于此展现了极大的期待 ,他们的首延接管台积电 3nm 制程的天玑旗舰芯片估量将于 2024 年下半年正式上市 。这将是联发科在芯片技术规模的又一紧张里程碑 。
在往年7月的季度财政团聚上,台积电CEO魏哲家泄露 ,去年底开始量产的N3 3nm工艺 ,已经残缺经由验证,功能、良品率都抵达了预期目的 。
台积电3nm工艺第一代为N3B,技术上很先进很重大,运用多达25个EUV光刻层,尚有双重曝光 ,从而抵达更高的晶体管密度 ,这也导致价钱更贵 。第二代则是N3E ,EUV光刻层削减到19个 ,去掉双重曝光,会重价良多